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CT1210SF-3R9M

CT1210SF-3R9M

Central Technologies

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.9UH SURFACE MOUNT

Technische Daten

Induktivität
3.9 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
-
Abmessungen
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1210SF-3R9M.

Induktivität
3.9 µH

CT1210SF-3R9M hat eine Induktivität von 3.9 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CT1210SF-3R9M ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
-

CT1210SF-3R9M hat einen DC-Widerstand von -. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CT1210SF-3R9M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität3.9 µH
Toleranz±20%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)-
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-35°C ~ 85°C
Abmessungen0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.9UH SURFACE MOUNT
SerieCT1210SF
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.098 (2.50mm)
Merkmale-

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