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CT132SMF-12TJ

CT132SMF-12TJ

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT132SMF-12TJ von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 169 nH, Nennstrom 3.4 A Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 11.7Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
169 nH
Nennstrom
3.4 A Max
DC-Widerstand (DCR)
11.7Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT132SMF-12TJ.

Induktivität
169 nH

CT132SMF-12TJ hat eine Induktivität von 169 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.4 A Max

CT132SMF-12TJ ist für 3.4 A Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
11.7Ohm

CT132SMF-12TJ hat einen DC-Widerstand von 11.7Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität169 nH
Toleranz±5%
Nennstrom3.4 A Max
DC-Widerstand (DCR)11.7Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 169NH 11.7 OHM SMD
Seriect132smf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz800MHz
MontageartSurface Mount

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