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CT1812CSF-1R8J

CT1812CSF-1R8J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1812CSF-1R8J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.8 µH, Nennstrom 380 mA Typ, Gleichstromwiderstand (DCR) 2Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.8 µH
Nennstrom
380 mA Typ
DC-Widerstand (DCR)
2Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1812CSF-1R8J.

Induktivität
1.8 µH

CT1812CSF-1R8J hat eine Induktivität von 1.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
380 mA Typ

CT1812CSF-1R8J ist für 380 mA Typ ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2Ohm

CT1812CSF-1R8J hat einen DC-Widerstand von 2Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1.8 µH
Toleranz±5%
Nennstrom380 mA Typ
DC-Widerstand (DCR)2Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.8UH 2 OHM SMD
Seriect1812csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz68 Min @ 50 MHz
Eigenresonanzfrequenz190MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount

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