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CT1812SMSF-33NK

CT1812SMSF-33NK

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1812SMSF-33NK von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 5.7mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
33 nH
DC-Widerstand (DCR)
5.7mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1812SMSF-33NK.

Induktivität
33 nH

CT1812SMSF-33NK hat eine Induktivität von 33 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
5.7mOhm

CT1812SMSF-33NK hat einen DC-Widerstand von 5.7mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität33 nH
Toleranz±10%
DC-Widerstand (DCR)5.7mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 33NH 5.7 MOHM SMD
Seriect1812smsf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz2.5MHz
MontageartSurface Mount

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