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CT1812SMSF-56NJ

CT1812SMSF-56NJ

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1812SMSF-56NJ von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 56 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 6.3mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
56 nH
DC-Widerstand (DCR)
6.3mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1812SMSF-56NJ.

Induktivität
56 nH

CT1812SMSF-56NJ hat eine Induktivität von 56 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
6.3mOhm

CT1812SMSF-56NJ hat einen DC-Widerstand von 6.3mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität56 nH
Toleranz±5%
DC-Widerstand (DCR)6.3mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 56NH 6.3 MOHM SMD
Seriect1812smsf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz1.5MHz
MontageartSurface Mount

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