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CT181LYF-102J

CT181LYF-102J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT181LYF-102J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 mH, Nennstrom 90 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.4Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 mH
Nennstrom
90 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.4Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT181LYF-102J.

Induktivität
1 mH

CT181LYF-102J hat eine Induktivität von 1 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
90 mA

CT181LYF-102J ist für 90 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.4Ohm

CT181LYF-102J hat einen DC-Widerstand von 3.4Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1 mH
Toleranz±5%
Nennstrom90 mA
DC-Widerstand (DCR)3.4Ohm
Betriebstemperatur-20°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1MH 3.4 OHM TH
Seriect181lyf
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz70 Min @ 50 kHz
Eigenresonanzfrequenz770kHz
Induktivitäts-Testfrequenz1.0 kHz
MontageartThrough Hole

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