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CT181LYF-822J

CT181LYF-822J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT181LYF-822J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 mH, Nennstrom 30 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 10Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.2 mH
Nennstrom
30 mA
DC-Widerstand (DCR)
10Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT181LYF-822J.

Induktivität
8.2 mH

CT181LYF-822J hat eine Induktivität von 8.2 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
30 mA

CT181LYF-822J ist für 30 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10Ohm

CT181LYF-822J hat einen DC-Widerstand von 10Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität8.2 mH
Toleranz±5%
Nennstrom30 mA
DC-Widerstand (DCR)10Ohm
Betriebstemperatur-20°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 8.2MH 10 OHM TH
Seriect181lyf
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz100 Min @ 50 kHz
Eigenresonanzfrequenz280kHz
Induktivitäts-Testfrequenz1.0 kHz
MontageartThrough Hole

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