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CT187LYF-181J

CT187LYF-181J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT187LYF-181J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 180 µH, Nennstrom 200 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
180 µH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
3Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT187LYF-181J.

Induktivität
180 µH

CT187LYF-181J hat eine Induktivität von 180 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

CT187LYF-181J ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3Ohm

CT187LYF-181J hat einen DC-Widerstand von 3Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität180 µH
Toleranz±5%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)3Ohm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 180UH 3 OHM TH
Seriect187lyf
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz80 Min @ 796 kHz
Eigenresonanzfrequenz3.3MHz
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartThrough Hole

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