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CT262LYF-221K

CT262LYF-221K

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT262LYF-221K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 220 µH, Nennstrom 150 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
220 µH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
3Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT262LYF-221K.

Induktivität
220 µH

CT262LYF-221K hat eine Induktivität von 220 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

CT262LYF-221K ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3Ohm

CT262LYF-221K hat einen DC-Widerstand von 3Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität220 µH
Toleranz±10%
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)3Ohm
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 220UH 3 OHM TH
Seriect262lyf
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz60 Min @ 796 kHz
Eigenresonanzfrequenz4.5GHz
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartThrough Hole

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