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CT622LYF-2R2M

CT622LYF-2R2M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT622LYF-2R2M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 6.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 20mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
6.5 A
DC-Widerstand (DCR)
20mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT622LYF-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

CT622LYF-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
6.5 A

CT622LYF-2R2M ist für 6.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
20mOhm

CT622LYF-2R2M hat einen DC-Widerstand von 20mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom6.5 A
DC-Widerstand (DCR)20mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 20 MOHM TH
Seriect622lyf
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz20 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz100MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartThrough Hole

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