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CT622LYF-331J

CT622LYF-331J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT622LYF-331J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 µH, Nennstrom .54 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 850mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
330 µH
Nennstrom
.54 A
DC-Widerstand (DCR)
850mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT622LYF-331J.

Induktivität
330 µH

CT622LYF-331J hat eine Induktivität von 330 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
.54 A

CT622LYF-331J ist für .54 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
850mOhm

CT622LYF-331J hat einen DC-Widerstand von 850mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität330 µH
Toleranz±5%
Nennstrom.54 A
DC-Widerstand (DCR)850mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 330UH 850 MOHM TH
Seriect622lyf
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz20 Min @ .796 MHz
Eigenresonanzfrequenz2.3MHz
Induktivitäts-Testfrequenz.796 MHz
MontageartThrough Hole

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