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CT622LYF-821K

CT622LYF-821K

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT622LYF-821K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 µH, Nennstrom .35 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.8Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
820 µH
Nennstrom
.35 A
DC-Widerstand (DCR)
1.8Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT622LYF-821K.

Induktivität
820 µH

CT622LYF-821K hat eine Induktivität von 820 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
.35 A

CT622LYF-821K ist für .35 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.8Ohm

CT622LYF-821K hat einen DC-Widerstand von 1.8Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität820 µH
Toleranz±10%
Nennstrom.35 A
DC-Widerstand (DCR)1.8Ohm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 820UH 1.8 OHM TH
Seriect622lyf
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz20 Min @ .796 MHz
Eigenresonanzfrequenz1.5MHz
Induktivitäts-Testfrequenz.796 MHz
MontageartThrough Hole

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