LogoMagdir
CT636CYF-220M

CT636CYF-220M

Central Technologies

PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT636CYF-220M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22 µH, Nennstrom 0.90 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
0.90 A
DC-Widerstand (DCR)
150mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT636CYF-220M.

Induktivität
22 µH

CT636CYF-220M hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
0.90 A

CT636CYF-220M ist für 0.90 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
150mOhm

CT636CYF-220M hat einen DC-Widerstand von 150mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von CT636CYF-220M weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±20%
Nennstrom0.90 A
DC-Widerstand (DCR)150mOhm
Betriebstemperatur-30°C ~ 100°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 22UH 150 MOHM SMD
Seriect636cyf
ProduktstatusActive
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount

Vorschau