Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT636CYF-3R3M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 2.26 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 35mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT636CYF-3R3M.
CT636CYF-3R3M hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT636CYF-3R3M ist für 2.26 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT636CYF-3R3M hat einen DC-Widerstand von 35mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.26 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 35mOhm |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 35 MOHM SMD |
| Serie | ct636cyf |
| Produktstatus | Active |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
