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CT646CYF-151M

CT646CYF-151M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT646CYF-151M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 150 µH, Nennstrom 0.4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 730mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
150 µH
Nennstrom
0.4 A
DC-Widerstand (DCR)
730mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT646CYF-151M.

Induktivität
150 µH

CT646CYF-151M hat eine Induktivität von 150 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
0.4 A

CT646CYF-151M ist für 0.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
730mOhm

CT646CYF-151M hat einen DC-Widerstand von 730mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität150 µH
Toleranz±20%
Nennstrom0.4 A
DC-Widerstand (DCR)730mOhm
Betriebstemperatur-30°C ~ 100°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 150UH 730 MOHM SMD
Seriect646cyf
ProduktstatusActive
MontageartSurface Mount

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