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CT646CYF-220M

CT646CYF-220M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT646CYF-220M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22 µH, Nennstrom 1.13 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 110mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
1.13 A
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT646CYF-220M.

Induktivität
22 µH

CT646CYF-220M hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.13 A

CT646CYF-220M ist für 1.13 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm

CT646CYF-220M hat einen DC-Widerstand von 110mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.13 A
DC-Widerstand (DCR)110mOhm
Betriebstemperatur-30°C ~ 100°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 22UH 110 MOHM SMD
Seriect646cyf
ProduktstatusActive
MontageartSurface Mount

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