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CT646CYF-271M

CT646CYF-271M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT646CYF-271M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 270 µH, Nennstrom 0.31 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.25Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
270 µH
Nennstrom
0.31 A
DC-Widerstand (DCR)
1.25Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT646CYF-271M.

Induktivität
270 µH

CT646CYF-271M hat eine Induktivität von 270 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
0.31 A

CT646CYF-271M ist für 0.31 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.25Ohm

CT646CYF-271M hat einen DC-Widerstand von 1.25Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität270 µH
Toleranz±20%
Nennstrom0.31 A
DC-Widerstand (DCR)1.25Ohm
Betriebstemperatur-30°C ~ 100°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 270UH 1.25 OHM SMD
Seriect646cyf
ProduktstatusActive
MontageartSurface Mount

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