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CT7503CYF-220M

CT7503CYF-220M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT7503CYF-220M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22 µH, Nennstrom 2.21 A Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 45mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
2.21 A Max
DC-Widerstand (DCR)
45mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT7503CYF-220M.

Induktivität
22 µH

CT7503CYF-220M hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.21 A Max

CT7503CYF-220M ist für 2.21 A Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
45mOhm

CT7503CYF-220M hat einen DC-Widerstand von 45mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.21 A Max
DC-Widerstand (DCR)45mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 22UH 45 MOHM TH
Seriect7503cyf
ProduktstatusActive
MontageartThrough Hole

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