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CT7503CYF-560M

CT7503CYF-560M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT7503CYF-560M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 56 µH, Nennstrom 1.4 A Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 95mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
56 µH
Nennstrom
1.4 A Max
DC-Widerstand (DCR)
95mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT7503CYF-560M.

Induktivität
56 µH

CT7503CYF-560M hat eine Induktivität von 56 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.4 A Max

CT7503CYF-560M ist für 1.4 A Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
95mOhm

CT7503CYF-560M hat einen DC-Widerstand von 95mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität56 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.4 A Max
DC-Widerstand (DCR)95mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 56UH 95 MOHM TH
Seriect7503cyf
ProduktstatusActive
MontageartThrough Hole

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