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CT814AYF-331K

CT814AYF-331K

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT814AYF-331K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 µH, Nennstrom 0.78 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 1Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
330 µH
Nennstrom
0.78 A
DC-Widerstand (DCR)
1Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT814AYF-331K.

Induktivität
330 µH

CT814AYF-331K hat eine Induktivität von 330 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
0.78 A

CT814AYF-331K ist für 0.78 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1Ohm

CT814AYF-331K hat einen DC-Widerstand von 1Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität330 µH
Toleranz±10%
Nennstrom0.78 A
DC-Widerstand (DCR)1Ohm
Sättigungsstrom0.53 A
Betriebstemperatur-30°C ~ 100°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 330UH 1 OHM SMD
Seriect814ayf
ProduktstatusActive
MontageartSurface Mount

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