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CT914BYF-2R2M

CT914BYF-2R2M

Central Technologies

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT914BYF-2R2M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 59mOhm. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
DC-Widerstand (DCR)
59mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT914BYF-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

CT914BYF-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
59mOhm

CT914BYF-2R2M hat einen DC-Widerstand von 59mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
DC-Widerstand (DCR)59mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 59 MOHM SMD
Seriect914byf
ProduktstatusObsolete
MontageartSurface Mount