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CT918CYF-120M

CT918CYF-120M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT918CYF-120M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 µH, Nennstrom 0.99 A Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 160mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
12 µH
Nennstrom
0.99 A Max
DC-Widerstand (DCR)
160mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT918CYF-120M.

Induktivität
12 µH

CT918CYF-120M hat eine Induktivität von 12 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
0.99 A Max

CT918CYF-120M ist für 0.99 A Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
160mOhm

CT918CYF-120M hat einen DC-Widerstand von 160mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität12 µH
Toleranz±20%
Nennstrom0.99 A Max
DC-Widerstand (DCR)160mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 12UH 160 MOHM SMD
Seriect918cyf
ProduktstatusActive
MontageartSurface Mount

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