Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT918CYF-3R3N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 1.99 A Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 50mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT918CYF-3R3N.
CT918CYF-3R3N hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT918CYF-3R3N ist für 1.99 A Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT918CYF-3R3N hat einen DC-Widerstand von 50mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 1.99 A Max |
| DC-Widerstand (DCR) | 50mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 50 MOHM SMD |
| Serie | ct918cyf |
| Produktstatus | Active |
| Montageart | Surface Mount |
