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CTAC1008F-12NK

CTAC1008F-12NK

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTAC1008F-12NK von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 nH, Nennstrom 900 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 6.5mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
12 nH
Nennstrom
900 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
6.5mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTAC1008F-12NK.

Induktivität
12 nH

CTAC1008F-12NK hat eine Induktivität von 12 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
900 mA Max

CTAC1008F-12NK ist für 900 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
6.5mOhm

CTAC1008F-12NK hat einen DC-Widerstand von 6.5mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität12 nH
Toleranz±10%
Nennstrom900 mA Max
DC-Widerstand (DCR)6.5mOhm
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 12NH 6.5 MOHM SMD
Seriectac1008f
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz3GHz
MontageartSurface Mount

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