Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTAC1008F-8N2K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 nH, Nennstrom 950 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 5mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTAC1008F-8N2K.
CTAC1008F-8N2K hat eine Induktivität von 8.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTAC1008F-8N2K ist für 950 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTAC1008F-8N2K hat einen DC-Widerstand von 5mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 950 mA Max |
| DC-Widerstand (DCR) | 5mOhm |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2NH 5 MOHM SMD |
| Serie | ctac1008f |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Eigenresonanzfrequenz | 3GHz |
| Montageart | Surface Mount |
