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CTAF01TK

CTAF01TK

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTAF01TK von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.5 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.1mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.5 nH
DC-Widerstand (DCR)
1.1mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTAF01TK.

Induktivität
2.5 nH

CTAF01TK hat eine Induktivität von 2.5 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
1.1mOhm

CTAF01TK hat einen DC-Widerstand von 1.1mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.5 nH
Toleranz±10%
DC-Widerstand (DCR)1.1mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.5NH 1.1 MOHM SMD
Seriectaf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz12.5GHz
MontageartSurface Mount

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