Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTAF02TJ von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.8mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTAF02TJ.
CTAF02TJ hat eine Induktivität von 5 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTAF02TJ hat einen DC-Widerstand von 1.8mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 5 nH |
| Toleranz | ±5% |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.8mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 5NH 1.8 MOHM SMD |
| Serie | ctaf |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Eigenresonanzfrequenz | 6.5GHz |
| Montageart | Surface Mount |
