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CTAF04TJ

CTAF04TJ

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTAF04TJ von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12.5 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.4mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
12.5 nH
DC-Widerstand (DCR)
3.4mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTAF04TJ.

Induktivität
12.5 nH

CTAF04TJ hat eine Induktivität von 12.5 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
3.4mOhm

CTAF04TJ hat einen DC-Widerstand von 3.4mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität12.5 nH
Toleranz±5%
DC-Widerstand (DCR)3.4mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 12.5NH 3.4 MOHM SMD
Seriectaf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz3.3GHz
MontageartSurface Mount

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