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CTAF05TJ

CTAF05TJ

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTAF05TJ von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 18.5 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.9mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
18.5 nH
DC-Widerstand (DCR)
3.9mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTAF05TJ.

Induktivität
18.5 nH

CTAF05TJ hat eine Induktivität von 18.5 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
3.9mOhm

CTAF05TJ hat einen DC-Widerstand von 3.9mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität18.5 nH
Toleranz±5%
DC-Widerstand (DCR)3.9mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 18.5NH 3.9 MOHM SMD
Seriectaf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz2.5GHz
MontageartSurface Mount

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