Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC0F-R33M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 nH, Nennstrom 370 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 480mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC0F-R33M.
CTC0F-R33M hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTC0F-R33M ist für 370 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTC0F-R33M hat einen DC-Widerstand von 480mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 330 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 370 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 480mOhm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 330NH 480 MOHM TH |
| Serie | ctc0f |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 42 Min @ 25.2 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 150MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25.2 MHz |
| Montageart | Through Hole |
