Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC1F-R82K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 420 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 850mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC1F-R82K.
CTC1F-R82K hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTC1F-R82K ist für 420 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTC1F-R82K hat einen DC-Widerstand von 850mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 420 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 850mOhm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 850 MOHM TH |
| Serie | ctc1f |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 28 Min @ 25 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 250MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Through Hole |
