Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC2F-1R0J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 815 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 180mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC2F-1R0J.
CTC2F-1R0J hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTC2F-1R0J ist für 815 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTC2F-1R0J hat einen DC-Widerstand von 180mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 815 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 180mOhm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 180 MOHM TH |
| Serie | ctc2f |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 40 Min @ 25.2 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 135MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25.2 MHz |
| Montageart | Through Hole |
