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CTC2F-1R5J

CTC2F-1R5J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC2F-1R5J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.5 µH, Nennstrom 700 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 200mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.5 µH
Nennstrom
700 mA
DC-Widerstand (DCR)
200mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC2F-1R5J.

Induktivität
1.5 µH

CTC2F-1R5J hat eine Induktivität von 1.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700 mA

CTC2F-1R5J ist für 700 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
200mOhm

CTC2F-1R5J hat einen DC-Widerstand von 200mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1.5 µH
Toleranz±5%
Nennstrom700 mA
DC-Widerstand (DCR)200mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.5UH 200 MOHM TH
Seriectc2f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz45 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz130MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartThrough Hole

Vorschau

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