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CTC2F-2R2K

CTC2F-2R2K

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC2F-2R2K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 630 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 250mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
630 mA
DC-Widerstand (DCR)
250mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC2F-2R2K.

Induktivität
2.2 µH

CTC2F-2R2K hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
630 mA

CTC2F-2R2K ist für 630 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
250mOhm

CTC2F-2R2K hat einen DC-Widerstand von 250mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom630 mA
DC-Widerstand (DCR)250mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 250 MOHM TH
Seriectc2f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz40 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz80MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartThrough Hole

Vorschau

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