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CTC2F-2R7J

CTC2F-2R7J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC2F-2R7J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.7 µH, Nennstrom 596 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 280mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.7 µH
Nennstrom
596 mA
DC-Widerstand (DCR)
280mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC2F-2R7J.

Induktivität
2.7 µH

CTC2F-2R7J hat eine Induktivität von 2.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
596 mA

CTC2F-2R7J ist für 596 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
280mOhm

CTC2F-2R7J hat einen DC-Widerstand von 280mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.7 µH
Toleranz±5%
Nennstrom596 mA
DC-Widerstand (DCR)280mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.7UH 280 MOHM TH
Seriectc2f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz40 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz80MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartThrough Hole

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