Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC2F-821J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 µH, Nennstrom 65 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 24Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC2F-821J.
CTC2F-821J hat eine Induktivität von 820 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTC2F-821J ist für 65 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTC2F-821J hat einen DC-Widerstand von 24Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 65 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 24Ohm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 820UH 24 OHM TH |
| Serie | ctc2f |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 60 Min @ .796 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.6MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | .796 MHz |
| Montageart | Through Hole |
