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CTC2F-R22J

CTC2F-R22J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC2F-R22J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 220 nH, Nennstrom 1150 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
220 nH
Nennstrom
1150 mA
DC-Widerstand (DCR)
150mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC2F-R22J.

Induktivität
220 nH

CTC2F-R22J hat eine Induktivität von 220 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1150 mA

CTC2F-R22J ist für 1150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
150mOhm

CTC2F-R22J hat einen DC-Widerstand von 150mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität220 nH
Toleranz±5%
Nennstrom1150 mA
DC-Widerstand (DCR)150mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 220NH 150 MOHM TH
Seriectc2f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz40 Min @ 25.2 MHz
Eigenresonanzfrequenz280MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25.2 MHz
MontageartThrough Hole

Vorschau

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