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CTC2F-R27K

CTC2F-R27K

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC2F-R27K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 270 nH, Nennstrom 1110 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
270 nH
Nennstrom
1110 mA
DC-Widerstand (DCR)
150mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC2F-R27K.

Induktivität
270 nH

CTC2F-R27K hat eine Induktivität von 270 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1110 mA

CTC2F-R27K ist für 1110 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
150mOhm

CTC2F-R27K hat einen DC-Widerstand von 150mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität270 nH
Toleranz±10%
Nennstrom1110 mA
DC-Widerstand (DCR)150mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 270NH 150 MOHM TH
Seriectc2f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz40 Min @ 25.2 MHz
Eigenresonanzfrequenz260MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25.2 MHz
MontageartThrough Hole

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