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CTC2F-R68J

CTC2F-R68J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC2F-R68J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 680 nH, Nennstrom 900 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 180mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
680 nH
Nennstrom
900 mA
DC-Widerstand (DCR)
180mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC2F-R68J.

Induktivität
680 nH

CTC2F-R68J hat eine Induktivität von 680 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
900 mA

CTC2F-R68J ist für 900 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
180mOhm

CTC2F-R68J hat einen DC-Widerstand von 180mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität680 nH
Toleranz±5%
Nennstrom900 mA
DC-Widerstand (DCR)180mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 680NH 180 MOHM TH
Seriectc2f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz40 Min @ 25.2 MHz
Eigenresonanzfrequenz160MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25.2 MHz
MontageartThrough Hole

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