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CTC4F-180K

CTC4F-180K

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC4F-180K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 18 µH, Nennstrom 580 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 670mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
18 µH
Nennstrom
580 mA
DC-Widerstand (DCR)
670mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC4F-180K.

Induktivität
18 µH

CTC4F-180K hat eine Induktivität von 18 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
580 mA

CTC4F-180K ist für 580 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
670mOhm

CTC4F-180K hat einen DC-Widerstand von 670mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität18 µH
Toleranz±10%
Nennstrom580 mA
DC-Widerstand (DCR)670mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 18UH 670 MOHM TH
Seriectc4f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz50 Min @ 2.52 MHz
Eigenresonanzfrequenz17 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartThrough Hole

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