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CTC4F-222K

CTC4F-222K

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC4F-222K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2200 µH, Nennstrom 80 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 34.7 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2200 µH
Nennstrom
80 mA
DC-Widerstand (DCR)
34.7 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC4F-222K.

Induktivität
2200 µH

CTC4F-222K hat eine Induktivität von 2200 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
80 mA

CTC4F-222K ist für 80 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
34.7 Ohm Max

CTC4F-222K hat einen DC-Widerstand von 34.7 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2200 µH
Toleranz±10%
Nennstrom80 mA
DC-Widerstand (DCR)34.7 Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
Beschreibung2200UH AXIAL CONF COATD INDUCTOR
Seriectc4f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz40 Min @ 0.252 MHz
Eigenresonanzfrequenz1.1 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz0.252 MHz
MontageartThrough Hole

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