Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTCDRH125F-3R1N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.1 µH, Nennstrom 6 A Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 17mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCDRH125F-3R1N.
CTCDRH125F-3R1N hat eine Induktivität von 3.1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTCDRH125F-3R1N ist für 6 A Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTCDRH125F-3R1N hat einen DC-Widerstand von 17mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTCDRH125F-3R1N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von CTCDRH125F-3R1N weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.1 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 6 A Max |
| DC-Widerstand (DCR) | 17mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 6A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.504 L x 0.504 W (12.80mm x 12.80mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 3.1UH 17 MOHM SMD |
| Serie | CTCDRH125F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.236 (6.00mm) |
