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CTCDRH2D09F-4R7N

CTCDRH2D09F-4R7N

Central Technologies

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTCDRH2D09F-4R7N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 640 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 288mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
640 mA
DC-Widerstand (DCR)
288mOhm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.126 W (3.20mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCDRH2D09F-4R7N.

Induktivität
4.7 µH

CTCDRH2D09F-4R7N hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
640 mA

CTCDRH2D09F-4R7N ist für 640 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
288mOhm Max

CTCDRH2D09F-4R7N hat einen DC-Widerstand von 288mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

CTCDRH2D09F-4R7N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±30%
Nennstrom640 mA
DC-Widerstand (DCR)288mOhm Max
Sättigungsstrom410mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.126 L x 0.126 W (3.20mm x 3.20mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 640MA 288 MOHM
SerieCTCDRH2D09F
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)

Vorschau

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