Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTCDRH2D14F-5R6N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.6 µH, Nennstrom 980 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 256mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCDRH2D14F-5R6N.
CTCDRH2D14F-5R6N hat eine Induktivität von 5.6 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTCDRH2D14F-5R6N ist für 980 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTCDRH2D14F-5R6N hat einen DC-Widerstand von 256mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTCDRH2D14F-5R6N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von CTCDRH2D14F-5R6N weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 5.6 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 980 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 256mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 950mA |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
| Abmessungen | 0.126 L x 0.126 W (3.20mm x 3.20mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 5.6UH 980MA 256 MOHM |
| Serie | CTCDRH2D14F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039 (1.00mm) |
