Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTCDRH4D18F-1R0N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 45mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCDRH4D18F-1R0N.
CTCDRH4D18F-1R0N hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTCDRH4D18F-1R0N hat einen DC-Widerstand von 45mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTCDRH4D18F-1R0N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±30% |
| DC-Widerstand (DCR) | 45mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.72A |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 80°C |
| Abmessungen | 0.185 L x 0.185 W (4.70mm x 4.70mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 45 MOHM SMD |
| Serie | CTCDRH4D18F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079 (2.00mm) |
