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CTCDRH6D28F-150N

CTCDRH6D28F-150N

Central Technologies

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTCDRH6D28F-150N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 15 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 84mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
15 µH
DC-Widerstand (DCR)
84mOhm Max
Abmessungen
0.264 L x 0.264 W (6.70mm x 6.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCDRH6D28F-150N.

Induktivität
15 µH

CTCDRH6D28F-150N hat eine Induktivität von 15 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
84mOhm Max

CTCDRH6D28F-150N hat einen DC-Widerstand von 84mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

CTCDRH6D28F-150N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität15 µH
Toleranz±30%
DC-Widerstand (DCR)84mOhm Max
Sättigungsstrom1.4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 80°C
Abmessungen0.264 L x 0.264 W (6.70mm x 6.70mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 15UH 84 MOHM SMD
SerieCTCDRH6D28F
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz10 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.118 (3.00mm)

Vorschau