Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTCDRH6D38F-560N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 56 µH, Nennstrom 850 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 202mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCDRH6D38F-560N.
CTCDRH6D38F-560N hat eine Induktivität von 56 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTCDRH6D38F-560N ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTCDRH6D38F-560N hat einen DC-Widerstand von 202mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTCDRH6D38F-560N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 56 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 850 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 202mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 110°C |
| Abmessungen | 0.264 L x 0.264 W (6.70mm x 6.70mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 56UH 850MA 202 MOHM |
| Serie | CTCDRH6D38F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.157 (4.00mm) |
