Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTCDRH6D38F-7R4N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 7.4 µH, Nennstrom 2.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 31mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCDRH6D38F-7R4N.
CTCDRH6D38F-7R4N hat eine Induktivität von 7.4 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTCDRH6D38F-7R4N ist für 2.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTCDRH6D38F-7R4N hat einen DC-Widerstand von 31mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTCDRH6D38F-7R4N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von CTCDRH6D38F-7R4N weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 7.4 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 2.3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 31mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 110°C |
| Abmessungen | 0.264 L x 0.264 W (6.70mm x 6.70mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 7.4UH 2.3A 31 MOHM SMD |
| Serie | CTCDRH6D38F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.157 (4.00mm) |
