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CTCH110F-271K

CTCH110F-271K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder, 4 Leads

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTCH110F-271K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 270 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 400mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder, 4 Leads. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
270 µH
DC-Widerstand (DCR)
400mOhm Max
Abmessungen
0.394 Dia (10.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCH110F-271K.

Induktivität
270 µH

CTCH110F-271K hat eine Induktivität von 270 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
400mOhm Max

CTCH110F-271K hat einen DC-Widerstand von 400mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder, 4 Leads

CTCH110F-271K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder, 4 Leads. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität270 µH
Toleranz±10%
DC-Widerstand (DCR)400mOhm Max
Sättigungsstrom1A
Abmessungen0.394 Dia (10.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder, 4 Leads
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder, 4 Leads
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 270UH 400 MOHM TH
SerieCTCH110F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.413 (10.50mm)