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CTCH114F-681L

CTCH114F-681L

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 680UH 960 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
680 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
960mOhm Max
Abmessungen
0.394 Dia (10.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCH114F-681L.

Induktivität
680 µH

CTCH114F-681L hat eine Induktivität von 680 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CTCH114F-681L ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
960mOhm Max

CTCH114F-681L hat einen DC-Widerstand von 960mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTCH114F-681L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität680 µH
Toleranz±15%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)960mOhm Max
Sättigungsstrom690mA
Betriebstemperatur-
Abmessungen0.394 Dia (10.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 680UH 960 MOHM TH
SerieCTCH114F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.567 (14.40mm)
Merkmale-

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